[发明专利]一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910082634.9 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN109802041B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 熊健;范宝锦;何珍;赵倩;薛小刚;蔡平;张坚 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 苗艳荣
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法,属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极,银作为阴极,采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料,以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层,采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构;本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势,能显著增加光的吸收率,提升电子的提取效率以及更小的回滞因子;整体器件制备温度可以控制在100度以内,其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池,并且制作方法简单、成本低廉、效果明显,能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中,可以大规模生产应用。
搜索关键词: 一种 非富勒烯钙钛矿 平面 异质结 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池,采用倒置结构,从下至上依次为透明电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、IT基非富勒烯电子传输层、乙烯丙酮类金属螯合物阴极界面层、顶电极;所述透明电极包含氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锡、聚乙撑二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸盐、石墨烯、碳纳米管层、银纳米线、铜纳米线中的一种或两种以上材料;空穴传输层包括聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺],氧化钼,氧化石墨烯,氧化镍,氧化钨,氧化钒,氧化银的一种或两种以上材料;钙钛矿活性层为钙钛矿型金属卤化物:甲胺碘化铅;甲胺氯碘铅((MAPbI3Cl3‑x);0<x<3);铯掺杂甲醚胺碘化铅(FAxCs1‑xPbI3;0<x<1);甲醚胺碘化铅;甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿(FAxMA1‑xPbI3Br3‑y;0<x<1,0<y<3)以及铯掺杂甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿(Csx(MAyFA1‑y)1‑xPb(IzBr1‑z)3;0<x<1,0<y<1,0<z<1);所述的IT类非富勒烯电子传输层为3,9‑双(2‑亚甲基‑(3‑(1,1‑二氰基亚)茚满酮)‑5,5,11,11‑四(4‑己基苯基)‑二噻吩并[2,3‑d:2',3'‑d']‑s‑indaceno[1,2‑b:5,6‑b']二噻吩;(3‑(1,1‑二氰基甲基)‑1‑甲基‑茚满酮)‑5,5,11,11‑四(4‑己基苯基)‑二噻吩并[2,3‑d:20,30‑D0]‑s苯并二茚并[1,2‑B:5,6‑B0]二噻吩;3,9‑双(2‑亚甲基‑(3‑(1,1‑二氰基亚)茚满酮))‑5,5,11,11‑四(5‑hexylthienyl)‑二噻吩并[2,3‑d:2',3'‑d']‑sindaceno[1,2‑b:5,6‑b']二噻吩,形成的IT类非富勒烯电子传输层厚度为1纳米到80纳米;所述的阴极界面层为乙酰丙酮金属螯合物,具体包括乙酰丙酮钌,乙酰丙酮钛,乙酰丙酮锆,退火温度为室温下‑100℃,时间为10‑60分钟;所述顶电极为银、铝薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910082634.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top