[发明专利]一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201910082634.9 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN109802041B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 熊健;范宝锦;何珍;赵倩;薛小刚;蔡平;张坚 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 苗艳荣 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法,属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极,银作为阴极,采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料,以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层,采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构;本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势,能显著增加光的吸收率,提升电子的提取效率以及更小的回滞因子;整体器件制备温度可以控制在100度以内,其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池,并且制作方法简单、成本低廉、效果明显,能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中,可以大规模生产应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 非富勒烯钙钛矿 平面 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池,采用倒置结构,从下至上依次为透明电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、IT基非富勒烯电子传输层、乙烯丙酮类金属螯合物阴极界面层、顶电极;所述透明电极包含氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锡、聚乙撑二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸盐、石墨烯、碳纳米管层、银纳米线、铜纳米线中的一种或两种以上材料;空穴传输层包括聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺],氧化钼,氧化石墨烯,氧化镍,氧化钨,氧化钒,氧化银的一种或两种以上材料;钙钛矿活性层为钙钛矿型金属卤化物:甲胺碘化铅;甲胺氯碘铅((MAPbI3Cl3‑x);0<x<3);铯掺杂甲醚胺碘化铅(FAxCs1‑xPbI3;0<x<1);甲醚胺碘化铅;甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿(FAxMA1‑xPbI3Br3‑y;0<x<1,0<y<3)以及铯掺杂甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿(Csx(MAyFA1‑y)1‑xPb(IzBr1‑z)3;0<x<1,0<y<1,0<z<1);所述的IT类非富勒烯电子传输层为3,9‑双(2‑亚甲基‑(3‑(1,1‑二氰基亚)茚满酮)‑5,5,11,11‑四(4‑己基苯基)‑二噻吩并[2,3‑d:2',3'‑d']‑s‑indaceno[1,2‑b:5,6‑b']二噻吩;(3‑(1,1‑二氰基甲基)‑1‑甲基‑茚满酮)‑5,5,11,11‑四(4‑己基苯基)‑二噻吩并[2,3‑d:20,30‑D0]‑s苯并二茚并[1,2‑B:5,6‑B0]二噻吩;3,9‑双(2‑亚甲基‑(3‑(1,1‑二氰基亚)茚满酮))‑5,5,11,11‑四(5‑hexylthienyl)‑二噻吩并[2,3‑d:2',3'‑d']‑sindaceno[1,2‑b:5,6‑b']二噻吩,形成的IT类非富勒烯电子传输层厚度为1纳米到80纳米;所述的阴极界面层为乙酰丙酮金属螯合物,具体包括乙酰丙酮钌,乙酰丙酮钛,乙酰丙酮锆,退火温度为室温下‑100℃,时间为10‑60分钟;所述顶电极为银、铝薄膜。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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