[发明专利]一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构有效
申请号: | 201910083328.7 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109873062B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 吴小明;刘军林;陈芳;江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/14 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构,是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层,复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区,反射区由介质层和反射金属组成,介质层的介质材料的折射率在1.0‑2.5之间,电极为金属,材料和接触的半导体材料有关,对p型GaP,电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层,或者,电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层;对n型GaAs,电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金;粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 复合 反射 algainp 红色 发光二极管 器件 结构 | ||
【主权项】:
1.一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构,由底部至顶部的结构依次为基板背面金属层、基板、基板侧键合层、外延侧键合层、阻挡层、复合反射镜层、p型GaP欧姆接触层、p型AlGaInP主层、有源层、n型AlGaInP主层、n型GaAs欧姆接触层和n电极;或者:由底部至顶部的结构依次为基板背面金属层、基板、基板正面接触层、键合层、阻挡层、复合反射镜层、n型GaAs欧姆接触层、n型AlGaInP主层、有源层、p型AlGaInP主层、p型GaP粗化层和p电极,其特征在于:复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区,其中:反射区由介质层和反射金属组成,介质层的介质材料的折射率在1.0‑2.5之间,介质材料为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或镁的氟化物中的一种,厚度为10 nm‑500 nm,制备方法为物理或化学气相方法沉积;反射金属为Ag、Ni和Ag叠层或者Ti和Ag叠层中的一种,Ag厚度为50‑500 nm,Ni厚度为0.1 nm‑10 nm,Ti厚度为0.1 nm‑10 nm;电极为金属,材料和接触的半导体材料有关,对p型GaP,电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层,AuZn合金中,Zn的比例为1%‑10%;或者,电极的金属材料为Au或AuBe或二者的叠层,AuBe合金中,Be的比例为1%‑10%;或者,电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层,Ag厚度为50‑500 nm,Ni厚度为0.1 nm‑10 nm,Ti厚度为0.1 nm‑10 nm;对n型GaAs,电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金,厚度为0.1μm–5μm;粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种;TiW中,Ti比例为10%。
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