[发明专利]图形化衬底及图形化衬底和发光二极管外延片的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910085721.X 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109873058A 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 孙玉芹;董彬忠;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/20;H01L21/3065
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种图形化衬底及图形化衬底和发光二极管外延片的制造方法,属于半导体技术领域。所述图形化衬底包括本体和设置在所述本体表面上的多个凸起结构,相邻的所述凸起结构之间的平面呈平坦状态。本发明提供的图形化衬底其相邻凸起结构之间的平面的边缘不会产生凹坑,相邻的凸起结构之间不会产生凹坑和凸起,因此,可以改善在其上生长的外延层的翘曲情况,提高外延片的晶体质量,达到提高产品良率和亮度的效果。
搜索关键词: 图形化 衬底 凸起结构 发光二极管外延 凹坑 半导体技术领域 产品良率 平坦状态 平面的 外延层 外延片 翘曲 凸起 制造 生长
【主权项】:
1.一种图形化衬底,其特征在于,所述图形化衬底包括本体和设置在所述本体表面上的多个凸起结构,相邻的所述凸起结构之间的平面呈平坦状态。
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