[发明专利]一种电致变色器件的制备方法有效
申请号: | 201910085997.8 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN110095911B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 王群华;吉顺青;刘江 | 申请(专利权)人: | 南通繁华新材料科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/15 | 分类号: | G02F1/15;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/24 |
代理公司: | 上海汉盛律师事务所 31316 | 代理人: | 王峥 |
地址: | 226600 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种电致变色器件的制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)制备第一透明导电层;(2)制备电致变色层:通过等离子真空镀膜装置在第一透明导电层的表面镀上一层电致变色薄膜,形成电致变色层;(3)制备离子传导层;(4)制备离子存储层通过等离子真空镀膜装置在离子传导层的表面镀上一层离子存储层薄膜,进而形成离子存储层;(5)制备第二透明导电层;(6)制备离子阻挡层;(7)制备隔离层;(8)激光刻电极。本发明的优点在于:通过本发明的制备方法制备的电致变色器件,具有变色范围广,褪色态透明度高、变色速度快的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 变色 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电致变色器件的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:(1)制备第一透明导电层:选用清洁的高透明材料为衬底,将衬底进行清洗,然后通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在清洁的衬底的上表面形成一层厚度为20nm~400nm、方块电阻为5~25ohm,可见光平均透过率>85%的透明导电薄膜,进而在衬底的上表面形成第一透明导电层;(2)制备电致变色层:选用等离子真空镀膜装置,所述等离子真空镀膜装置包括通过N磁铁和S磁铁固定设置的靶材,在靶材的外周由内至外依次设有环绕靶材的Ar/O2混合气、抽气通道和屏蔽罩;其中,选用金属钨靶以氩气掺杂氧气进行反应溅射,氧掺杂比例为2%~50%或通过氧化物的陶瓷靶材直接进行溅射;通过等离子真空镀膜装置在第一透明导电层的表面镀上一层膜厚200nm~600nm的电致变色薄膜,形成电致变色层;(3)制备离子传导层:通过镀膜方式在电致变色层的表面镀上一层膜厚为10nm~300nm的含有金属锂膜层,进而形成离子传导层;(4)制备离子存储层:选用等离子真空镀膜装置,所述等离子真空镀膜装置包括通过N磁铁和S磁铁固定设置的靶材,在靶材的外周由内至外依次设有环绕靶材的Ar/O2混合气、抽气通道和屏蔽罩;其中,选用金属镍靶以氩气掺杂氧气进行反应溅射,氧掺杂比例为0.5%~20%或通过氧化物的陶瓷靶材直接进行溅射;通过等离子真空镀膜装置在离子传导层的表面镀上一层膜厚为150nm~650nm的离子存储层薄膜,进而形成离子存储层;(5)制备第二透明导电层:通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在离子存储层的表面形成一层厚度为20nm~400nm、方块电阻为5~25ohm,可见光平均透过率>85%的透明导电薄膜,进而在离子存储层的表面形成第二透明导电层;(6)制备离子阻挡层:以Si/SiAl为靶材,采用磁控溅射镀膜工艺在第二透明导电层的表面沉积一层厚度为20nm~80nm的离子阻挡层;(7)制备隔离层:以Si、Ti、Al或B中的一种或几种为靶材,采用磁控溅射镀膜工艺在离子阻挡层的表面沉积一层厚度为100nm~1000nm的隔离层;(8)激光刻电极:通过1064nm和532nm两台激光器对薄膜进行刻划,刻划线宽90‑120um,将器件的两层透明导电膜暴露出来,在激光刻划电极表面通过点胶工艺形成导电银浆作为导电电极,并将导线焊接到导电银浆表面。
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