[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910086201.0 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109920889A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片的P型欧姆接触层由至少一个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为InxGa1‑xN层，0≤x＜1，且所述第一子层中掺有Mg，所述第二子层为MgN层，所述第一子层和所述第三子层呈镓极性，所述第二子层呈氮极性。由于氮极性材料相比于镓极性材料具有更低的欧姆接触电阻，因此通过设置第二子层从而可以降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 氮化镓基发光二极管 外延片 超晶格结构 氮极性 镓极性 半导体技术领域 欧姆接触电阻 发光效率 工作电压 依次层叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型欧姆接触层，其特征在于，所述P型欧姆接触层由至少一个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为InxGa1‑xN层，0≤x＜1，且所述第一子层中掺有Mg，所述第二子层为MgN层，所述第一子层和所述第三子层呈镓极性，所述第二子层呈氮极性。
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