[发明专利]具有输出限制的低噪声放大器有效
| 申请号： | 201910088359.1 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110176906B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | K·贝松 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/195 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供具有输出限制的低噪声放大器(LNA)。在某些实施方式中，氮化镓(GaN)LNA包括LNA放大电路和输出限制器，输出限制器连接到LNA放大电路的输出并且可操作以限制GaN LNA的输出功率。通过限制输出信号功率，实现了许多益处，包括保护接收GaN LNA输出信号的下游电路。例如，这种下游电路可以使用硅或与相对于GaN LNA的较低信号功率处理能力相关联的其他制造技术来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 输出 限制 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1.一种具有可控下游电路保护的通信系统(RF)通信系统，所述RF通信系统包括：低噪声放大器(LNA)，被配置为放大RF输入信号以产生RF输出信号；和下游电路，被配置为接收来自LNA的RF输出信号，其中LNA包括可控输出限制器，被配置为以可控量的输出限制来限制来自LNA的RF输出信号。
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