[发明专利]多芯片半导体封装件在审
| 申请号： | 201910089343.2 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110364505A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赖昱嘉;潘国龙;郭鸿毅;郭庭豪;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/16;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体封装件包括：第一管芯；第一再分布结构，位于第一管芯上，第一再分布结构与第一管芯共末端；第二管芯，位于第一管芯上，第一管芯的第一部分延伸超出第二管芯的横向范围；导电柱，位于第一管芯的第一部分上并且与第二管芯横向相邻，导电柱电耦合到第一管芯；模制材料，位于第一管芯、第二管芯和导电柱周围；以及第二再分布结构，位于模制材料上，第二再分布结构电耦合到导电柱和第二管芯。本发明的实施例还涉及多芯片半导体封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 第二管 导电柱 再分布 半导体封装件 模制材料 电耦合 多芯片 横向相邻 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：第一管芯；第二管芯，附接到所述第一管芯，所述第一管芯的第一部分延伸超出所述第二管芯的横向范围；导电柱，位于所述第一管芯的第一部分上并且与所述第二管芯横向相邻，所述导电柱电耦合到所述第一管芯；模制材料，位于所述第一管芯、所述第二管芯和所述导电柱周围；以及第一再分布结构，位于所述模制材料上，所述第一再分布结构电耦合到所述导电柱和所述第二管芯。
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