[发明专利]应用于近红外波段的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管在审
| 申请号： | 201910089805.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109920860A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王亮;秦金;张博健;许凯 | 申请（专利权）人： | 南京科普林光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/107 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;许婉静 |
| 地址： | 210013 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，包括InP基底及其上的外延结构，所述外延结构包括吸收层以及吸收层之上的开启层，所述开启层和吸收层材料均为InxGa1‑xAs，x介于0.52至0.55之间，且均包含有掺杂材料Si，且开启层的Si掺杂密度大于吸收层的Si掺杂密度。本发明的外延结构优化了吸收层的设计，在保证器件工作特性的同时，加入一层开启层，使得吸收层整体的电场降低，同时低掺杂的吸收层能更好的降低外延缺陷密度，保证器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收层 开启层 外延结构 雪崩二极管 盖革模式 掺杂 近红外波段 吸收层材料 掺杂材料 电场降低 工作特性 器件特性 外延缺陷 低掺杂 保证 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，包括InP基底及其上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括吸收层以及吸收层之上的开启层，所述开启层和吸收层材料均为InxGa1‑xAs，x介于0.52至0.55之间，且均包含有掺杂材料Si，且开启层的Si掺杂密度大于吸收层的Si掺杂密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京科普林光电科技有限公司，未经南京科普林光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910089805.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
