[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910091154.9 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111508896B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘少雄;罗杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成至少一个金属栅极结构、位于金属栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂层以及位于金属栅极结构之间且覆盖源漏掺杂层的介质层，金属栅极结构横跨多个鳍部；金属栅极结构和介质层上形成露出第一区域和第二区域交界处的掩膜层；以掩膜层为掩膜，进行多次沉积刻蚀步骤，形成贯穿金属栅极结构的开口，沉积刻蚀步骤包括：沉积工艺，沉积工艺在第一区域和第二区域交界处介质层表面沉积保护层；形成保护层后进行刻蚀工艺，刻蚀工艺刻蚀第一区域和第二区域交界处的金属栅极结构。多次沉积刻蚀步骤的过程中介质层上始终有保护层，使得源漏掺杂层能够对沟道提供足够的压应力或张应力，提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
