[发明专利]一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201910091352.5 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109817474B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘乔;李维俊;陈善亮;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，属于微能源制造技术领域，制备方法包括：将SiC晶片先进行清洗、浸泡、干燥处理，再经阳极氧化刻蚀、剥离后得SiC纳米阵列薄膜；将SiC纳米阵列薄膜浸入固态电解质中，取出后直接压合得超级电容器电极；将超级电容器电极与固态电解质组装形成超级电容器，本发明芯片级全固态SiC超级电容器，工艺方法简单，制备成本低，具有很好的重复性，且SiC超级电容器厚度小，已经达到微米级，可以集成到芯片上，适用领域广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 固态 sic 超级 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：将SiC晶片先进行清洗、浸泡、干燥处理，再经阳极氧化刻蚀、剥离后得SiC纳米阵列薄膜；将SiC纳米阵列薄膜浸入固态电解质中，取出后直接压合得超级电容器。
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