[发明专利]一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器有效

专利信息
申请号: 201910092767.4 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN109861655B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赵思棋;刘明 申请(专利权)人: 上海磐启微电子有限公司
主分类号: H03F3/193 分类号: H03F3/193;H03F3/45;H03F3/68
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种应用于RFID(无线射频识别)系统的新型低功耗放大器,涉及模拟集成电路设计领域,包括输入级、中间级和输出级;其中,所述输入级由第一MOS管、第二MOS管和第一恒流源构成差分放大电路;所述中间级包括共模反馈模块、放大管模块和恒流源负载模块;所述输出级包括第一电容、第二电容和一个负载电阻;所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极分别与所述放大管模块电连接;所述输出级的第一电容的第一端与所述共模反馈模块电连接,所述输出级的第二电容的第一端与所述恒流源负载模块电连接;所述放大器电路的工作电流为纳安级。本发明可在极低功耗下实现稳定可靠的信号放大,并具有很高的接收灵敏度和抗干扰能力。
搜索关键词: 一种 应用于 rfid 系统 新型 功耗 放大器
【主权项】:
1.一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器,其特征在于,包括输入级、中间级和输出级;其中,所述输入级由第一MOS管、第二MOS管和第一恒流源构成差分放大电路;所述中间级包括共模反馈模块、放大管模块和恒流源负载模块;所述输出级包括第一电容、第二电容和一个负载电阻;所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极分别与所述放大管模块电连接;所述输出级的第一电容的第一端与所述共模反馈模块电连接,所述输出级的第二电容的第一端与所述恒流源负载模块电连接;所述放大器电路的工作电流为纳安级。
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