[发明专利]MOS抗脉冲电流测试电路

摘要

本发明涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C‑，所述控制电路模块的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。

主权项

1.一种MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块(100)，所述电源电路模块(100)分别与MOS测试电路模块(200)和控制电路模块(300)连接；MOS测试电路模块(200)，所述MOS测试电路模块(200)包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路(210)的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路(210)的输入端连接控制电路模块(300)的低电平输出端C‑，所述控制电路模块(300)的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路(210)驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路(220)的输出端控制电路模块(300)，所述控制电路模块(300)包括单片机U3及其外围电路。