[发明专利]一种低电场介电可调铌掺杂钡铁氧体材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种低电场介电可调铌掺杂钡铁氧体材料及制备方法，该陶瓷为单相多晶材料，在钡铁氧体本身具有优良磁性能的基础上，通过Nb5+取代BaFe12O19晶格中的部分Fe3+，使得体系内产生由其引入的Fe2+，Nb5+掺杂产生的Fe2+和体系内其它的Fe3+形成稳定的缺陷偶极子。得到的铌掺杂钡铁氧体陶瓷，具有超高的介电常数以及超低电场驱动的介电可调特性。其制备方法为：采用溶胶凝胶法，结合空气气氛及高氧气氛协同烧结工艺最终形成铌掺杂钡铁氧体单相陶瓷。本发明工艺过程简单、制备周期短、成本低廉，可精确控制掺杂量，得到的铌掺杂钡铁氧体材料表现出在超低调制电场下的介电可调性。这种铌掺杂的钡铁氧体陶瓷可应用于制备移相器，可变电容器，参量器件等可调器件。

主权项

1.一种低电场介电可调铌掺杂钡铁氧体陶瓷材料，其特征在于，该陶瓷材料为单相多晶材料，通过Nb⁵⁺取代BaFe₁₂O₁₉晶格中的部分Fe³⁺，使得掺杂位置附近的Fe³⁺以变价的方式形成Fe²⁺，这种掺杂产生的Fe²⁺和体系内的Fe³⁺之间存在耦合，形成稳定的缺陷偶极子对。