[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910093348.2 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111508841A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括如下步骤：提供一表面形成有源区的半导体衬底；在半导体衬底上形成沟槽且沟槽的相对侧边分别形成连接沟槽的源/漏；在沟槽中形成栅极，栅极与沟槽之间还形成有栅介质层；部分去除栅极与源/漏重叠区域之间的栅介质层；在栅极的上方沉积隔离层，以于栅极与源/漏重叠区域之间形成密闭的空隙层。本发明通过在晶体管的栅漏交叠区引入空隙层取代栅介质层，减小了栅漏电压，有效地抑制了栅致漏极漏电流，从而提高了器件可靠性并减少了器件功耗，使DRAM器件的数据保存及读写性能得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
