[发明专利]深紫外LED制备方法在审
| 申请号： | 201910093849.0 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109860355A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 华斌;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提出一种深紫外LED制备方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成间隔设置的掩膜层；在所述掩膜层之间的间隙生长n型AlGaN层，形成垂直分布的纳米柱阵列；在所述n型AlGaN层上依次生长量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，形成从内到外依次为n型AlGaN层、量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层的核壳结构。本申请所提出的的深紫外LED制备方法，量子阱层相比于传统外延结构LED具有较大面积，可以提高发光面积，并且所述量子阱层大部分出光方向垂直于C面，不受量子限制斯塔克效应的影响，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 深紫外LED 制备 缓冲层 掩膜层 衬底 出光方向垂直 纳米柱阵列 垂直分布 发光效率 核壳结构 间隔设置 量子限制 外延结构 生长 申请 发光 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成间隔设置的掩膜层；在所述掩膜层之间的间隙生长n型AlGaN层，形成垂直分布的纳米柱阵列；在所述n型AlGaN层上依次生长量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，形成从内到外依次为n型AlGaN层、量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层的核壳结构。
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