[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 201910094358.8 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110896126A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 玖村芳典 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的磁存储装置具备：第1配线；第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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