[发明专利]一种多相强化的电子封装用铜合金及其制备方法有效
申请号: | 201910095044.X | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109735741B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 张毅;安俊超;李丽华;高直;高颖颖;王智勇;国秀花;田保红;刘勇;付明;赵转;张晓辉;王冰洁;耿永峰;班宜杰;宋克兴 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22C9/10;C22C1/03;C22F1/08 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 时亚娟 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种多相强化的电子封装用铜合金,由以下重量百分比的组分构成:1.0~8.0%的镍,0.25~2%的硅、0.1~0.2%的铁、0.01~0.05%的磷、0.1~0.4%的镁,余量为铜和不可避免的杂质元素。本发明采用独特的制备工艺,通过在Cu‑Ni‑Si合金中添加合金元素Fe、P、Mg,对铜合金整体进行了多相强化合金处理。制备出了一种抗拉强度较高,导电率可达56 IACS%以上,且各项综合性能优异的Cu‑Ni‑Si电子封装铜合金,以满足电子封装用铜合金的性能要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 多相 强化 电子 封装 铜合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多相强化的电子封装用铜合金,其特征在于,由以下重量百分比的组分构成:1.0~8.0%的镍,0.25~2%的硅、0.1~0.2%的铁、0.01~0.05%的磷、0.1~0.4%的镁,余量为铜和不可避免的杂质元素。
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