[发明专利]自对准锗硅HBT器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种自对准锗硅HBT器件的制造方法，本发明采用非选择性的低温锗硅外延生长，经过多次介质层淀积和回刻，形成抬高的外基区多晶硅侧墙，最终形成发射极多晶硅和基区多晶硅由侧墙隔离的自对准器件；和现有技术相比，用非选择性外延淀积在发射极窗口，回刻去除顶层多晶硅及降低侧面锗硅厚度，再形成内侧墙的工艺方法，这样就省去了使用选择性外延这步相对芯片制造厂较特殊的工艺，更适合量产。

主权项

1.一种自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在形成集电极后，淀积氧化硅‑多晶硅‑氧化硅叠层；步骤二，用发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在底层氧化硅上；步骤三，湿法刻蚀去除有源区的氧化硅，在多晶硅下形成底切，用非选择性的外延成长形成HBT的基区；步骤四，淀积平坦化的有机介质；步骤五，回刻有机介质和多晶硅，去除介质上表面的多晶硅，并对侧墙的多晶硅回刻，形成D型侧墙；步骤六，淀积介质层，再用回刻方法形成侧墙；步骤七，湿法去除发射极窗口的氧化硅并对硅表面清洗后，淀积发射极多晶硅，光刻和干法刻蚀发射极多晶硅，形成HBT的发射极；步骤八，淀积氧化硅，回刻形成发射极多晶硅外侧墙，光刻和干法刻蚀基极多晶硅，形成器件基极。