[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其中低温锗硅选择性外延，可以在很大的范围内形成所需的锗浓度，掺杂硼百分比和碳浓度，而选择性外延，由于不同的掺杂比会影响外延生长的选择性，这样在器件研发时多次实验才能得到所需的杂质分布，对研发进度造成压力。同时，本发明的方法在外基区采用非选择性外延，淀积层可以是单晶或多晶，工艺复杂度较低，器件性能优越。

主权项

1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在形成集电极后，光刻和刻蚀形成锗硅外延窗口，用低温非选择性外延形成锗硅层，然后淀积氧化硅‑多晶硅‑氧化硅叠层；步骤二，用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在锗硅外延层上，窗口只打开外基区；步骤三，淀积多晶硅并覆盖整个芯片表面和侧面，再淀积平坦化的有机介质，之后回刻有机介质和多晶硅；步骤四，淀积氧化硅，并淀积平坦化的有机介质，之后回刻有机介质和氧化硅；步骤五，刻蚀多晶硅，将外基区以外的多晶硅去除；步骤六，淀积氧化硅并回刻形成内侧墙；步骤七，湿法刻蚀和清洗后，淀积重掺砷多晶硅然后刻蚀多晶硅形成发射极；步骤八，光刻和干法刻蚀基极多晶硅，然后淀积氧化硅并回刻形成发射极多晶硅侧墙。