[发明专利]锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，采用非选择性的低温锗硅外延生长，经过牺牲发射极多晶硅的淀积和刻蚀，外侧墙的干法刻蚀、湿法刻蚀和清洗，用选择性外延方法，形成抬高的外基区和外侧墙，再回刻牺牲发射极多晶硅，清洗后淀积发射极多晶硅并干法刻蚀，最终形成发射极多晶硅和基区多晶硅由侧墙隔离的自对准器件；与现有技术相比，由于采用了一次侧墙，这样就能形成较小的侧墙，可有效地降低基极串联电阻，以提升器件的最高振荡频率。

主权项

1.一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在形成集电极和低温生长锗硅外延层后，淀积氧化硅‑多晶硅‑氧化硅叠层，用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在底层氧化硅上，淀积氧化硅及回刻后形成侧墙；步骤二，用湿法刻蚀去除底部的全部氧化硅，之后侧墙上有氧化硅留存，底部氧化硅形成有足形留存；步骤三，选择性外延成长形成HBT的多晶或单晶外基区；步骤四，淀积一层氧化硅，将足形留存的氧化硅的侧面填到盖过外基区，然后进行外基区离子注入；步骤五，再淀积一层氧化硅；步骤六，涂布一层平坦化有机介质，之后回刻有机介质和氧化硅，将多晶硅顶层的有机介质和氧化硅去除，其他区域还有有机介质保留；步骤七，干法回刻牺牲发射极多晶硅，停在氧化硅上。