[发明专利]半导体器件及其封装方法有效
| 申请号： | 201910098756.7 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110300494B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李湛明;刘雁飞;傅玥;吴伟东 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18;H05K13/04 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种提高氮化镓半导体器件散热性能的封装方法，即GaN半导体器件的垂直面或背面封装在印刷电路板PCB之上，且与PCB热接触。这种封装技术可以与表面组装技术如基板栅格阵列(LGA)版式、球状引脚栅格阵列(BGA)版式以及其他版式相互兼容。PCB与GaN半导体器件的垂直面或背面之间的热接触可采用焊料来制作，作为热接触的焊料也可与GaN半导体器件的源极连接，以提高该GaN半导体器件的电学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装在印刷电路板PCB上的半导体器件，其特征在于，包括：金属接触焊点位于半导体器件的底面上，所述底面大部分面对PCB；所述PCB上布置有金属线，并且所述金属接触焊点与所述PCB中相应的金属线焊接在一起；在所述PCB中至少一条金属线延伸出所述半导体器件覆盖所述PCB的区域，其中，所述至少一条金属线与所述半导体器件的至少一个垂直面和背面焊接在一起。
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