[发明专利]一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910099635.4 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109883544A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 鲁学会;褚君浩;王连卫;敬承斌;张金中;胡志高 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOS基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（RIE）的硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，同主流硅工艺兼容便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 衬底 制备 改进型 微桥 灵敏 探测 大规模阵列芯片 反应离子刻蚀 太赫兹成像 材料检测 高灵敏度 电极 硅工艺 金薄膜 快响应 硅基 兼容 主流 应用 | ||
【主权项】：
1.一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器，其特征在于，该检测器以硅基SOS基片作为检测器的衬底，所述衬底上反应离子刻蚀的硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极；其中：所述衬底中顶层硅为N型掺杂中阻硅，其电阻率2.5‑10 ohm.cm；所述硅探测微桥的厚度为100‑200nm；所述金薄膜电极的引线走向与检测信号的极化方向一致。
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