[发明专利]一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法

摘要

一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法，存储单元在传统6管SRAM存储单元基础上，增加了读通路隔离管，采用独立的读位线和写位线，实现读写通路分离，增加了写通路列选通管和读通路列选通管。由于增加了列字线对访问的存储单元进行精确控制，使读写过程均不会影响其他不需访问的存储单元，由于通过增加读隔离管和专用的读位线和写位线，可实现高噪声容限设计；由于存储单元噪声容限的提高，电路对电源电压变动的敏感性降低，存储状态更加稳定，因此可实现低电压操作；由于读写访问精确至对应存储单元，无需像现有SRAM电路架构中的全行工作，因此，能够使电路动态功耗有效降低。

主权项

1.一种全隔离结构9管SRAM存储单元，其特征在于：包括由交叉耦合的一对反相器与写访问管T5、读访问管T6构成的6管SRAM存储单元，所述的反相器分别由晶体管T1、T2以及晶体管T3、T4组成；写访问管T5的栅极连接写行位线WRWL，晶体管T1、T2的栅极与写访问管T5之间设置写访问管T7，写访问管T5的漏/源极分别连接写专用位线WBL与写访问管T7的漏/源极，写访问管T7栅极连接列字线CWL；读访问管T6的栅极连接读行字线RRWL，晶体管T3、T4的栅极与读访问管T6之间设置读隔离管T9，读访问管T6的漏/源极分别连接读专用位线RBL与读隔离管T9的漏极，读隔离管T9的源极连接下拉管T8的漏极，下拉管T8的源极接地，下拉管T8的栅极连接列字线CWL。