[发明专利]基板处理装置及方法、处理液排出方法、处理液交换方法有效
申请号: | 201910101381.5 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN110211897B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 岩尾通矩;菊本宪幸;安田周一 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,具有:处理部,具有向基板供给处理液的处理液供给喷嘴;贮存部,贮存从处理液供给源供给的处理液;送液配管,将贮存在贮存部中的处理液输送给处理液供给喷嘴;流通配管,构成不同于送液配管的流路;氧浓度计,安装在流通配管上,测定在流通配管内流通的处理液的氧浓度;低氧流体供给管,与流通配管连通,将从低氧流体供给源供给的低氧流体输送给流通配管;流量变更阀,安装在低氧流体供给管上,变更向流通配管供给的低氧流体的供给流量;以及控制部。控制部具有流量变更控制部,在排出流通配管内的处理液时,至少在到流通配管内被低氧流体充满为止的期间,控制流量变更阀使得低氧流体被供给至流通配管。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 排出 交换 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,所述基板处理装置具有:处理部,具有处理液供给喷嘴,从该处理液供给喷嘴向基板供给处理液来处理基板;贮存部,贮存从处理液供给源供给的所述处理液;送液配管,将贮存在所述贮存部中的所述处理液输送给所述处理液供给喷嘴;流通配管,构成不同于所述送液配管的流路,使所述处理液在该流路内流通;氧浓度计,安装在所述流通配管上,测定在所述流通配管内流通的所述处理液中所溶解的氧的浓度;低氧流体供给管,与所述流通配管连通,将从低氧流体供给源供给的低氧流体输送给所述流通配管;流量变更阀,安装在所述低氧流体供给管上,变更向所述流通配管供给的所述低氧流体的供给流量;以及控制部,所述控制部具有流量变更控制部,在排出所述流通配管内的所述处理液时,至少在到所述流通配管内被所述低氧流体充满为止的期间,所述流量变更控制部控制所述流量变更阀使得所述低氧流体被供给至所述流通配管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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