[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910102818.7 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110120428A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/00;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供高耐压且耐湿性能高的半导体元件。半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；配置在半导体基板主面上的第1导电型的碳化硅半导体层；配置在碳化硅半导体层内的第2导电型的终端区域；绝缘膜；配置在碳化硅半导体层上的第1电极；和包围第1电极的密封圈。终端区域配置成从半导体基板的主面的法线方向观察包围碳化硅半导体层的表面的一部分。终端区域包括第2导电型的保护环区域和第2导电型的终端注入区域。密封圈经由配置在绝缘膜(111)的开口形成在终端注入区域(154)之上。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 碳化硅半导体层 半导体基板 半导体元件 终端区域 配置 密封圈 注入区域 电极 绝缘膜 终端 包围 法线方向 耐湿性能 高耐压 开口 观察 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，具备：具有主面以及背面的第1导电型的半导体基板；配置在所述半导体基板的所述主面上的第1导电型的碳化硅半导体层；配置在所述碳化硅半导体层内的第2导电型的终端区域；覆盖所述终端区域的至少一部分的绝缘膜；配置在所述碳化硅半导体层上且与所述碳化硅半导体层形成肖特基结的第1电极；配置在所述半导体基板的所述背面上且与所述半导体基板形成欧姆接合的第2电极；和配置在所述碳化硅半导体层上且包围所述第1电极的密封圈，所述终端区域配置成从所述半导体基板的所述主面的法线方向观察包围所述碳化硅半导体层的表面的一部分，所述终端区域包括：与所述碳化硅半导体层的所述表面相接的第2导电型的保护环区域；和配置成与所述保护环区域分离地包围所述保护环区域的周围的第2导电型的终端注入区域，所述第1电极具有与所述碳化硅半导体层相接的面，所述第1电极在与所述碳化硅半导体层相接的所述面的缘部与所述保护环区域相接，所述密封圈经由配置在所述绝缘膜的开口形成在所述终端注入区域之上。
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