[发明专利]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201910103281.6 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111524958B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 江怀慈;林胜豪;刘冠宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一载流子运输层设于该缓冲层上、一载流子供应层设于该载流子运输层上、一栅极电极设于该载流子供应层上以及一源极电极以及一漏极电极设于该栅极电极两侧，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910103281.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
