[发明专利]基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线及阵列有效
| 申请号： | 201910103450.6 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109921184B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 洪伟;徐俊;蒋之浩;张慧 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/06;H01Q9/16;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线及阵列，所述天线包括顶部金属层、第一介质层、中间金属层、第二介质层、第三介质层和底部金属层。顶部金属层上设有一对印制电偶极子，中间金属层为接地层，其上蚀刻有激励印制电偶极子的矩形槽，印制电偶极子与中间金属层之间分别通过贯穿第一介质层的一对金属化半盲孔连接；蚀刻于中间金属层上的矩形槽位于连接印制电偶极子和中间金属层的金属化半盲孔中间，中间金属层、第二介质层、第三介质层和底部金属层构成低剖面微带馈电结构。本发明可以获得超过40％的阻抗带宽，同时带内的增益波动也低于3dB，此外，通过成低剖面微带馈电结构实现与射频前端电路的直接集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 剖面 微带 馈电 结构 集成 电偶极子 天线 阵列 | ||
【主权项】：
1.基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线，其特征在于：包括由上往下依次设置的顶部金属层(1)、第一介质层(2)、中间金属层(3)、第二介质层(4)、第三介质层(5)和底部金属层(6)；所述顶部金属层(1)上设有一对电偶极子，所述中间金属层(3)为接地层，中间金属层(3)上蚀刻有激励印制电偶极子的矩形槽(9)，第一组电偶极子(7)和第二组电偶极子(8)与中间金属层(3)之间分别通过贯穿第一介质层(2)的第一对金属化半盲孔(10)和第二对金属化半盲孔(11)连接；蚀刻于中间金属层(3)上的矩形槽(9)位于连接第一组电偶极子(7)、第二组电偶极子(8)和中间金属层(3)的金属化半盲孔中间；所述天线还包括低剖面微带馈电结构，低剖面微带馈电结构包括中间金属层(3)、第二介质层(4)、第三介质层(5)和底部金属层(6)，其中，底部金属层(6)上设有一个空间上与矩形槽(9)垂直的细微带线(12)，细微带线(12)的中心和矩形槽(9)中心在垂直方向上重合；细微带线(12)一端开路，一端接50欧姆微带线(13)，中间金属层(3)作为辐射单元和微带馈电结构的公共地。
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