[发明专利]一种焊接陶瓷劈刀有效
| 申请号： | 201910103749.1 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109860067B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郑镇宏;邱基华;童文欣 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K20/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种焊接陶瓷劈刀。所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔，所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸，所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成，且所述凸出部分以焊嘴为几何中心呈正六边形阵列排布，所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差，所述高度差为5‑20μm。本发明的劈刀的表面结构中设计有突出部分和凹陷部分，可增加耐磨面积，且凸出部分呈正六边形阵列排布，能够提高凸出部分的稳定性，在使用过程中不易崩缺断裂，延长使用寿命。本发明中凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点之间的高度差较大，有利于提高劈刀尖端的耐磨性和引线键合强度；劈刀表面光洁度高，有效减少劈刀尖端的留金程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 焊接 陶瓷 劈刀 | ||
【主权项】：
1.一种焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔，所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸，所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成，且所述凸出部分以焊嘴为几何中心呈正六边形阵列排布，所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差，所述高度差为5‑20μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
