[发明专利]一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构、其制作方法及碳化硅器件在审
| 申请号： | 201910104626.X | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109904217A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，包括：M个场限环，其中第1场限环环绕碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m‑1)个场限环；其中第m个场限环的结深小于第(m‑1)个场限环的结深，M、n为正整数，且2≤m≤M。本公开的第二方面公开了一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构的制作方法。本公开的第三方面公开了碳化硅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 碳化硅器件 结终端结构 结深 环绕 功能区 正整数 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，其特征在于，包括：M个场限环，其中第1场限环环绕所述碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m‑1)个场限环；其中第m个场限环的结深小于第(m‑1)个场限环的结深，M、n为正整数，且2≤m≤M。
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