[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种包括存储区域和逻辑区域的半导体器件及其制造方法。存储区域包括通过将电荷累积到侧壁绝缘膜中来存储信息的晶体管(存储晶体管)。使存储区域中包括的存储晶体管的侧壁绝缘膜的宽度大于逻辑区域中包括的晶体管(逻辑晶体管)的侧壁绝缘膜的宽度。利用本发明，可以实现作为存储晶体管的展现出优良编程速度的晶体管和包括这种晶体管的半导体器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一区域中形成第一杂质区；在所述半导体衬底的第二区域中形成第二杂质区；在所述第一杂质区上方通过外延生长形成第一沟道区；形成隔离膜，所述隔离膜将所述半导体衬底中的第一区域和第二区域分开；在所述第一区域上方形成第一栅极绝缘膜；在所述第二区域上方形成第二栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜上方形成栅极电极膜；在所述第一区域上方形成所述栅极电极膜的第一栅极电极，在所述第二区域上方保留所述栅极电极膜；在所述第一栅极电极的侧壁上和所述第一区域上方形成第一侧壁绝缘膜；在所述第二区域上方形成所述栅极电极膜的第二栅极电极；在所述第二栅极电极的侧壁上和所述第二区域上方形成第二侧壁绝缘膜；在所述第一区域上方的第一栅极电极的两侧形成第一源极区和第一漏极区；以及在所述第二区域上方的第二栅极电极的两侧形成第二源极区和第二漏极区；其中，第一晶体管包括第一杂质区、第一沟道区、第一栅极绝缘膜、第一栅极电极、第一侧壁绝缘膜、第一源极区和第一漏极区；第二晶体管包括第二杂质区、第二栅极绝缘膜、第二栅极电极、第二侧壁绝缘膜、第二源极区和第二漏极区；所述第一晶体管通过将电荷累积到所述第一侧壁绝缘膜中来存储信息；以及所述第一杂质区包括第一杂质和第二杂质，所述第二杂质抑制所述第一杂质的扩散，所述第一杂质至少包括硼，并且所述第二杂质至少包括锗和碳。