[发明专利]三维堆叠半导体装置及其制造方法

摘要

一种三维堆叠半导体装置，包括多个图案化多层堆叠形成于一基板上方和位于基板的一阵列区域内，其中各图案化多层堆叠包括多个绝缘层和多个导电层交替地设置，且一顶部栅极层形成于此些导电层的上方；一垂直通道结构，位于图案化多层堆叠之间，且垂直通道结构包括一隧穿层形成于图案化多层堆叠上以及一通道层形成于隧穿层上，其中顶部栅极层的侧面直接接触隧穿层；和分离的局限结构，形成于邻近图案化多层堆叠的导电层侧壁的凹陷区域中，且各分离的局限结构包括一阻挡层形成于凹陷区域中以及一电荷捕捉元件与阻挡层和隧穿层接触。