[发明专利]基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201910106242.1 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109841711A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 魏同波;赵捷;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，其包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P‑GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔或微/纳米柱阵列，包含n(n≥1)个微/纳米孔或微/纳米柱；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中或微纳米柱阵列间隙之间；通过改变混合量子点的配比，结合量子阱中In的组分的调节，形成全光谱，实现高显色性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米孔 多量子阱结构层 共振能量转移 非掺杂GaN层 低温成核层 电子阻挡层 白光LED 非辐射 量子点 双波长 衬底 制备 纳米柱阵列 高显色 量子阱 纳米柱 微纳米 柱阵列 配比 光谱 填充 | ||
【主权项】：
1.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P‑GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔阵列，包含n个微/纳米孔，所述微/纳米孔垂直贯穿所述P‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中。
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