[发明专利]用于光生阴极保护的AgInS2

摘要

本发明属于纳米复合膜光阳极领域，特别涉及了一种用于光生阴极保护的AgInS2/石墨烯/TiO2纳米复合膜光阳极及其制备方法和应用。将形成TiO2纳米管阵列膜的钛基体浸入氧化石墨烯溶液中，密封条件下于150～180℃水热反应2～10h，而后冷却洗涤、干燥得石墨烯/TiO2纳米复合膜；将上述获得石墨烯/TiO2纳米复合膜中浸入含Ag+、In3+和S2‑的水溶液中，而后密封、高压、90～110℃下煅烧2～10h，煅烧后冷却至室温、洗涤、晾干得到AgInS2/石墨烯/TiO2纳米复合膜。本发明的制备工艺流程简单、合成设备要求简单，安全环保。本发明AgInS2/石墨烯/TiO2纳米复合膜在光生阴极保护方面具有潜在的应用前景。

主权项

1.一种用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：1)石墨烯/TiO₂纳米复合膜的制备：将形成TiO₂纳米管阵列膜的钛基体浸入氧化石墨烯溶液中，密封条件下于150～180℃水热反应2～10h，而后冷却洗涤、干燥得石墨烯/TiO₂纳米复合膜；2)AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜的制备：将上述获得石墨烯/TiO₂纳米复合膜中浸入含Ag⁺、In³⁺和S^2‑的水溶液中，而后密封、高压、90～110℃下煅烧2～10h，煅烧后冷却至室温、洗涤、晾干得到AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜。