[发明专利]具有电绝缘扩散中断区的鳍式场效应晶体管及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201910106711.X 申请日: 2019-02-02
公开(公告)号: CN110620137A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 罗炯柱;金柱然;徐凤锡;俞尚旼;郑主护;黄义澈;李城门 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
搜索关键词: 方向延伸 横跨 器件隔离层 栅极结构 长边 鳍式场效应晶体管 扩散 中断 电绝缘 上表面 下表面 下侧壁 衬底
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n第一鳍和第二鳍,在衬底上沿第一方向延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开;/n第三鳍,具有比所述第一鳍和所述第二鳍的相应长边短的长边,在所述第一鳍与所述第二鳍之间延伸;/n第一栅极结构,形成为沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且横跨所述第一鳍;/n器件隔离层,设置在所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍的每个的下侧壁上并且沿所述第一方向延伸;以及/n扩散中断区,在所述器件隔离层上沿所述第二方向延伸,所述扩散中断区包括横跨在所述第一鳍与所述第三鳍之间的第一部分、横跨在所述第二鳍与所述第三鳍之间的第二部分、以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间并且在所述第三鳍上的第三部分;/n其中所述第三部分的下表面的水平高于所述第一部分和所述第二部分的每个的下端的水平,并且低于所述第一栅极结构的上表面的水平。/n
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