[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法

摘要

本申请涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构包括多个LED子芯片，每个LED子芯片包括衬底和位于衬底上的外延层，以及位于外延层上的第一电极和第二电极，其中，相邻两个LED子芯片之间设置有隔离深沟槽，隔离深沟槽的部分区域设置有桥接绝缘隔离层。覆盖有桥接绝缘隔离层的部分隔离深沟槽对应的外延层侧壁为非粗化的侧壁，而其他区域的外延层侧壁均为粗化的侧壁。通过将外延层的侧壁粗化，从而能够减少侧向直接出射的光，将侧向出射的光反射至LED芯片正面出射，进而提供高压LED芯片结构的发光效率。同时，桥接绝缘隔离层设置为非粗化侧壁，如此，可避免因外延层侧壁粗化导致桥接处绝缘层覆盖不佳的问题。

主权项

1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：多个LED子芯片；每个所述LED子芯片包括：衬底；位于衬底上的外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述外延层上的第一电极和第二电极；位于相邻两个所述LED子芯片之间的隔离深沟槽，所述隔离深沟槽贯穿所述外延层；位于所述隔离深沟槽内的桥接绝缘隔离层；位于所述桥接绝缘隔离层上的桥接电极，所述桥接电极连接相邻两个所述LED子芯片的电极；其中，所述桥接绝缘隔离层覆盖的隔离深沟槽对应的所述第二型半导体层、所述有源层和部分第一型半导体层的侧壁为非粗化侧壁，其余所述外延层侧壁为粗化侧壁。