[发明专利]非挥发性存储装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910107966.8 申请日: 2019-02-02
公开(公告)号: CN111524893B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 卜伟海;俞少峰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H10B41/30 分类号: H10B41/30;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 汤陈龙;李丽
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种非挥发性存储装置及其制造方法,所述装置包括:半导体鳍片,具有第一端部和第二端部,第一端部沿第一方向延伸至所述第二端部;其中,第一端部和第二端部之间为通道区;分别位于半导体鳍片相对两侧的第一控制栅和第二控制栅,第一控制栅和第二控制栅沿第一方向延伸;位于第一控制栅和半导体鳍片之间的第一浮栅,第一浮栅至少部分覆盖通道区一侧的侧壁表面;位于第二控制栅和半导体鳍片之间的第二浮栅,第二浮栅至少部分覆盖通道区另一侧的侧壁表面。其中,第一控制栅和第二控制栅共用一个半导体鳍片,提高了器件的集成度,减小了对衬底的占用面积,满足了对器件尺寸日益微缩的要求。
搜索关键词: 挥发性 存储 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
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