[发明专利]一种光电二极管及其制作方法、电子设备有效
| 申请号： | 201910108010.X | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109817731B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杜建华;李超;强朝辉;高宇鹏;关峰;黄睿;王治;吕杨;罗超 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电二极管及其制作方法、电子设备，涉及光电转换技术领域，为解决现有的光电二极管的光电转换效率较低的问题。所述光电二极管包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。本发明提供的光电二极管用于将光信号转换为电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电二极管 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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