[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备在审
| 申请号： | 201910108176.1 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109576792A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；上侧壁安装在所述下侧壁上，坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以避免坩埚整体损坏，并减少人员受伤的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 坩埚体 上侧壁 生长装置 下侧壁 坩埚盖 制备设备 坩埚 密闭空间 底壁 晶体生长领域 坩埚整体 安装盖 生长 盖合 制备 受伤 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
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