[发明专利]一种薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层的制备方法在审
| 申请号： | 201910108205.4 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109872951A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王宏志;陈彦平;王刚;何中媛;李耀刚;张青红;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层的制备方法，包括：(1)将导电基底清洗干净后，高纯氩气吹干，氧气等离子体处理后待用；(2)分别配制聚酰亚胺有机溶液和硅烷偶联剂溶液；(3)将硅烷偶联剂溶液旋涂到等离子处理后的导电基底上，热处理，得到硅烷偶联剂处理后的导电基底；(4)将聚酰亚胺有机溶液旋涂到硅烷偶联剂处理后的导电基底上，真空热处理，即得。本发明解决了制备聚酰亚胺栅极绝缘层薄膜晶体管时绝缘层与栅极难以紧密接触的问题，提高了聚酰亚胺绝缘层的平整度，降低了聚酰亚胺栅极绝缘层薄膜晶体管的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 导电基 制备 硅烷偶联剂处理 硅烷偶联剂溶液 栅极绝缘层薄膜 薄膜晶体管 栅极绝缘层 有机溶液 晶体管 旋涂 绝缘层 氧气等离子体处理 聚酰亚胺绝缘层 等离子处理 真空热处理 高纯氩气 热处理 平整度 吹干 配制 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层的制备方法，包括：(1)将导电基底清洗干净后，高纯氩气吹干，氧气等离子体处理，得到等离子处理后的导电基底；(2)将聚酰亚胺粉末溶解于N,N‑二甲基乙酰胺中，剧烈搅拌，得到浓度为200～300mg/mL的聚酰亚胺有机溶液；将硅烷偶联剂按照5～10％的质量百分比溶解于乙醇水溶液中，剧烈震荡后静置，得到硅烷偶联剂溶液；(3)将步骤(2)中的硅烷偶联剂溶液旋涂到步骤(1)中等离子处理后的导电基底上，热处理，得到硅烷偶联剂处理后的导电基底；(4)将步骤(2)中的聚酰亚胺有机溶液旋涂到步骤(3)中硅烷偶联剂处理后的导电基底上，真空下热处理，得到薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
