[发明专利]一种微损伤减缓铝刻蚀侧腐的方法有效
申请号: | 201910108427.6 | 申请日: | 2019-02-03 |
公开(公告)号: | CN109786241B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 朱友华;秦佳明;刘轩;李毅;王美玉 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
地址: | 226019*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法,包括以下步骤:S1、使用光刻胶作为掩膜,利用刻蚀气体在金属表面刻蚀,形成槽;S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化,形成金属氧化物;S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀,去除所述槽底的金属氧化物,保留槽壁的金属氧化物;S4、重复步骤S2和S3,直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度,利用反应离子刻蚀机(RIE)刻蚀材料时是各向异性的特点,侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时,底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用,很容易被刻蚀掉,而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故,侧壁的金属氧化物得以保留,防止内部的金属被刻蚀,从而能够控制线宽。 | ||
搜索关键词: | 一种 损伤 减缓 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微损伤减缓铝刻蚀侧腐的方法,包括以下步骤:S1、使用光刻胶作为掩膜,利用刻蚀气体在Al表面刻蚀,形成槽;S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的Al进行氧化形成Al2O3,本步骤在反应离子刻蚀机中进行,氧化的工艺条件是:氧气流量为80‑120sccm,反应离子刻蚀机的输出功率为80‑120W,反应离子刻蚀机反应腔的气压为70‑90mtorr,氧化时间为5‑15min;S3、利用刻蚀气体对槽底进行刻蚀,首先去除槽底的Al2O3,然后对槽底裸露出的Al进行刻蚀,并保留槽壁的Al2O3,本步骤在反应离子刻蚀机中进行,刻蚀的工艺条件是:Cl2的气体流量为40‑60sccm,BCl3的气体流量为110‑130sccm,反应离子刻蚀机的输出功率为160‑200W,反应离子刻蚀机反应腔的气压为10‑20mtorr,刻蚀时间为15‑20min;S4、重复步骤S2和S3,直到刻槽深度达到要求为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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