[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备有效
| 申请号： | 201910108675.0 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109801960B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕沟道区的外周形成有栅堆叠；其中，栅堆叠包括各自以不同的阈值电压对不同的沟道层部分进行控制的多个栅电极，沟道层包括在多个栅电极控制下能够形成反型层的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；依次叠置在所述衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕所述沟道区的外周形成有栅堆叠；其中，所述栅堆叠包括各自以不同的阈值电压对不同的沟道层部分进行控制的多个栅电极，所述沟道层包括在所述多个栅电极控制下能够形成反型层的半导体层。
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