[发明专利]自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构在审
| 申请号： | 201910108679.9 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111524795A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的牺牲层；在所述牺牲层的侧壁表面形成第一掩膜层；形成所述第一掩膜层之后，在所述第一掩膜层侧壁表面形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层和第一掩膜层的材料不同；形成所述第二掩膜层之后，去除所述牺牲层。所述自对准双重图形化方法的可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图形 方法 及其 形成 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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