[发明专利]处理晶圆的方法在审
| 申请号： | 201910110077.7 | 申请日： | 2019-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN110164820A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·海因茨·普利瓦西尔;R·齐默尔曼;星野仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张美芹;王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 侧面 保护膜 侧边缘 附接 侧面延伸 多个器件 器件区域 整个圆周 中央区域 前表面 施加 | ||
【主权项】：
1.一种处理晶圆(W)的方法，所述晶圆(W)在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)，其中，所述方法包括以下步骤：提供保护膜(4)；将所述保护膜(4)施加到所述晶圆(W)的所述一个侧面(1)或所述晶圆(W)的与所述一个侧面(1)相对的侧面(6)，使得至少所述保护膜(4)的前表面(4a)的中央区域与所述晶圆(W)的所述一个侧面(1)或所述晶圆(W)的与所述一个侧面(1)相对的所述侧面(6)直接接触；将所述保护膜(4)附接至所述晶圆(W)的所述一个侧面(1)或所述晶圆(W)的与所述一个侧面(1)相对的所述侧面(6)，使得所述保护膜(4)的周边部分的至少一部分沿着所述晶圆(W)的整个圆周附接至所述晶圆(W)的侧边缘(5)的至少一部分，其中，所述晶圆(W)的所述侧边缘(5)从所述晶圆(W)的所述一个侧面(1)延伸到所述晶圆(W)的与所述一个侧面(1)相对的所述侧面(6)；以及处理所述晶圆(W)的所述一个侧面(1)和/或所述晶圆(W)的与所述一个侧面(1)相对的所述侧面(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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