[发明专利]外延结构制造方法和外延结构有效
| 申请号： | 201910110404.9 | 申请日： | 2019-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111554563B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 谈科伟 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。通过上述方法，可以改善现有技术中通过同一设备、同一工艺进行外延生长得到的各外延结构之间存在均匀性较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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