[发明专利]制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201910110957.4 | 申请日： | 2019-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN109860026B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;马涛;唐新阳;杨成绍 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。具体的，本发明提出了一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。由此，该方法可以简便地去除多晶硅预制层表面的凸起，使多晶硅薄膜的表面平整性较高，提高了多晶硅薄膜的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多晶 薄膜 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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