[发明专利]液体处理装置在审

申请号：	201910110985.6	申请日：	2019-02-12
公开（公告）号：	CN110164793A	公开（公告）日：	2019-08-23
发明（设计）人：	新村聪;坂井勇治;吉原孝介	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明能够不降低生产性而除去在旋涂时产生的抗蚀剂液的异物。抗蚀剂涂敷装置(32)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转吸盘(121)；对由旋转吸盘(121)保持的晶片(W)涂敷涂敷液的涂敷液供给喷嘴(154)；包围被旋转吸盘(121)保持的晶片(W)地配置于旋转吸盘(121)的外侧的罩(125)；设置在旋转吸盘与罩(125)的内周面之间的排气路径(d)；收集部件(181)，其覆盖排气路径(d)地设置在排气路径(d)的上方，具有在上下方向连通的开口部(181a)；供给溶剂的溶剂供给喷嘴(158)；和中继部(180)，其位于收集部件(181)的上方，从罩(125)的内周面向收集部件(181)突出。
搜索关键词：	旋转吸盘排气路径收集部件晶片抗蚀剂涂敷装置溶剂供给喷嘴液体处理装置涂敷涂敷液供给喷嘴供给溶剂降低生产抗蚀剂液上下方向开口部内周面涂敷液中继部异物内周旋涂连通包围覆盖配置
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【主权项】：

1.一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置，其特征在于，包括：保持所述基片并使其旋转的基片保持部；对由该基片保持部保持的所述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；罩体，其以能够包围被所述基片保持部保持的所述基片的方式配置于所述基片保持部的外侧；设置在所述基片保持部与所述罩体的内周面之间的排气路径；涂敷液收集部，其以覆盖所述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；溶剂供给部，其对所述涂敷液收集部供给所述涂敷液的溶剂；和中继部，其位于所述涂敷液收集部的上方，从所述罩体的内周面向所述涂敷液收集部突出。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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