[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910112824.0 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111564488B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 恩凯特·库马;李家豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该装置包含衬底、外延层、漂移区、射极区、以及集极区。外延层设置于衬底之上且具有第一导电类型。漂移区设置于外延层中且具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。射极区设置于漂移区之外的外延层中。集极区设置于漂移区中。此半导体装置还包含掺杂区，此掺杂区设置于相邻漂移区的底面且具有第一导电类型。本发明实施例提供的半导体装置及其制造方法，可以增强半导体装置的关闭状态击穿电压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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