[发明专利]光电半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910113343.1 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110246749A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈显德 | 申请（专利权）人： | 优显科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种光电半导体装置的制造方法，包括：提供矩阵基板，矩阵基板包括基材与矩阵电路，矩阵电路设置于基材上；由暂时性基材上将多个微尺寸光电半导体元件转置至矩阵基板上，这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于矩阵基板上，且各微尺寸光电半导体元件的至少一个电极分别与矩阵电路电性连接；形成保护层完全覆盖这些微尺寸光电半导体元件，保护层的高度大于这些微尺寸光电半导体元件的高度；以及研磨保护层，直到各微尺寸光电半导体元件的背表面上的残留物及背表面被去除而露出新表面为止。 | ||
| 搜索关键词： | 光电半导体元件 矩阵基板 矩阵电路 基材 光电半导体装置 保护层 背表面 研磨保护层 电性连接 间隔设置 新表面 暂时性 电极 转置 去除 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种光电半导体装置的制造方法，包括：提供矩阵基板，其中所述矩阵基板包括基材与矩阵电路，所述矩阵电路设置于所述基材上；由暂时性基材上将多个微尺寸光电半导体元件转置至所述矩阵基板上，其中所述微尺寸光电半导体元件间隔设置于所述矩阵基板上，且各所述微尺寸光电半导体元件的至少一个电极分别与所述矩阵电路电性连接；形成保护层完全覆盖所述微尺寸光电半导体元件，其中所述保护层的高度大于所述微尺寸光电半导体元件的高度；以及研磨所述保护层，并将所述保护层研磨至与所述微尺寸光电半导体元件等高时持续研磨，直到各所述微尺寸光电半导体元件的背表面上的残留物及所述背表面被去除而露出各所述微尺寸光电半导体元件远离所述矩阵基板的新表面为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优显科技股份有限公司，未经优显科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910113343.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种综合型汞灯散热结构
- 下一篇：形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
