[发明专利]一种标记的处理方法、套刻精度的量测方法以及标记有效
| 申请号： | 201910113810.0 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109932872B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郭芳芳;万浩;陆聪;李伟;高志虎;冯耀斌;卢绍祥 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种标记的处理方法、套刻精度的量测方法、三维存储器的制备方法、标记以及三维存储器，所述标记的处理方法包括以下步骤：提供基底结构，执行第一次光刻工艺，在所述基底结构的上表面形成第一标记，在所述基底结构的上表面具有围绕在所述第一标记四周的顶层结构层；从所述基底结构的上表面向下去除一定厚度的所述顶层结构层，以使所述第一标记与所述顶层结构层具有第一高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标记 处理 方法 精度 以及 | ||
【主权项】：
1.一种标记的处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供基底结构，执行第一次光刻工艺，在所述基底结构的上表面形成第一标记，在所述基底结构的上表面具有围绕在所述第一标记四周的顶层结构层；从所述基底结构的上表面向下去除一定厚度的所述顶层结构层，以使所述第一标记与所述顶层结构层具有第一高度差。
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