[发明专利]热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置在审
| 申请号： | 201910113884.4 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277361A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金载春;金荣得;玄荣勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 热辐射装置 第一电极 半导体封装件 半导体装置 电极电连接 第二电极 电极设置 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种热辐射装置，所述热辐射装置包括：半导体基板；设置在所述半导体基板上的第一电极；设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开的第二电极；以及设置在所述半导体基板中的第一贯穿电极，所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极。
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